1351 для каких двигателей

Двигатель Volvo TAD1351GE

Двигатели Volvo Penta для дизельных генераторов сертифицированы по ISO 9001 и применяются в составе оборудования с требованиями по экостандартам Stage 3A / Tier 3. Разработанные для эксплуатации в качестве силовых агрегатов ДГУ, дизели Volvo Penta устанавливаются на генераторы SDMO и Energo (Франция), электростанции Gesan и Electra Mollins (Испания), электрогенерирующие установки Pramac и Onis Visa (Италия), а также на генерирующее оборудование российского производства. Эти моторы обеспечивают быструю адаптацию к изменениям нагрузки и оперативное регулирование напряжения, стабильность и более высокое качество электроэнергии.

Volvo TAD1351GE — дизельный шестицилиндровый двигатель с рядным расположением цилиндров и непосредственным впрыском топлива. Вольво TAD1351GE оснащены турбокомпрессорами с промежуточным охлаждением наддувочного воздуха .

Мы предлагаем приобрести двигатели Вольво для генератора как комплектные новые, так комплектующие и запчасти Penta на необходимый Вам мотор.

В нашей компании Вы сможете купить Вольво Пента TAD1351GE по цене значительно ниже, чем у большинства поставщиков. Составить заявку на необходимую силовую технику Вы сможете на специализированной странице Заказ или по телефонам, указанным на странице Контакты.

Тех. характеристики, представленные в таблице, носят исключительно справочный характер и могут быть изменены без предварительного уведомления.

Технические данные мотора TAD1351GE
Модель TAD1351GE
Мощность основн.-резерв: л.с.
кВт мех.
кВт эл.
кВА
373-409
274-301
254-280
318-350
Макс. частота вращения, об/мин 1500
Количество и расположение цилиндров 6, рядное
Диаметр цилиндра, мм 131
Ход поршня, мм 158
Объем цилиндров, л 12.78
Компрессионное отношение 18,1:1
Габариты L×В×Н, мм N/A
Сухой вес, кг N/A

Вольво Пента для ДГУ оснащены электронными системами управления подачи топлива EDC4. Система управления TAD1351GE оперативно регулирует подачу топлива и момент впрыска, за счёт чего снижается время отклика на изменение нагрузки. Это позволяет более полно интегрировать двигатель в электростанцию, обеспечивает лучшую защиту агрегата и стабильность работы генераторной установки.

Каталог запасных частей Volvo TAD1351GE Вы сможете найти на странице запчасти TAD1351GE. Наша компания имеет большой опыт поставок комплектующих для промышленных двигателей и всегда готова к сотрудничеству в этой сфере. У нас Вы сможете оптом и в розницу купить запасные части Volvo. Цена и сроки доставки минимальны.

Доставка осуществляется транспортными компаниями по всей территории РФ.

Источник

Дизели для генераторных установок

Volvo Penta — ведущий мировой поставщик 5-ти — 16-ти литровых двигателей для производства дизель-генераторных установок (ДГУ) мощностью от 85 до 630 кВА.

Эти двигатели являются производными дизельных двигателей, используемых на грузовых тягачах Volvo Truck. Они соответствуют самым жестким международным требованиям в части экономичности, токсичности и уровня шума.

Читайте также:  Двигатель нагревается и троит ауди 80

Двигатели имеют высокую приемистость и при использовании в качестве силовых агрегатов ДГУ обеспечивают их быструю адаптацию к изменению нагрузки, меньшее время переходных процессов регулирования напряжения, что обеспечивает лучшую стабильность и более высокое качество электроэнергии.

Промышленные двигатели Volvo Penta изготавливаются на заводах Германии (D5-D7), Франции (D9), Швеции (D12-D16).

Технические характеристики, представленные в таблице, носят исключительно справочный характер и могут изменятся без предварительного уведомления.

TAD1351GE


Технические данные


Двигатель TAD1351GE
Мощность основная-резервная:

л.с. 373-409
кВт мех. 274-301
кВт эл. 254-280
кВА 318-350

Макс. частота вращения двигателя, об/мин 1500 Количество и расположение цилиндров 6, рядное Диаметр цилиндра, мм 131 Ход поршня, мм 158 Объем цилиндров, л 12.78 Компрессионное отношение 18,1:1 Габариты L×В×Н, мм N/A Сухой вес, кг N/A N/A — Данные отсутствуют или уточняются

Чертежи (2)


За подробной информацией обращайтесь, пожалуйста, в КВАРТЕТ.
Все технические данные могут изменяться без предупреждения.

Иллюстрации оборудования могут не точно соответствовать серийно выпускаемым моделям.
Чертежи не предназначены для проектирования.
Для просмотра документов в формате PDF можно воспользоваться бесплатной программой Adobe Reader

Источник

Двигатель Volvo Penta TAD1351GE

Швейцария

Производитель: Volvo Penta
Происхождение бренда:
Охлаждение: Жидкостное
Модель двигателя: TAD1351GE, 4-тактный
Мощность: 301 кВт
Мощность (л.с): 409
Обороты: 1500 об./мин.
Расположение и количество цилиндров: L6
Диаметр цилиндра (мм) ход поршня (мм): 131 x 158
Рабочий объем (л): 12.78
Степень сжатия: 18.1:1
Электронный блок управления: Нет
Тип топлива: Дизель
Назначение: Двигатели для генераторов
Гарантия: 1 год

Дизельный двигатель Volvo Penta TAD1351GE, 6-ти цилиндровый рядный промышленный турбированный дизельный двигатель объемом 12.78 литра. Максимальная мощность 301 кВт.

Для этого двигателя, и для любых электростанций, имеющих этот двигатель в своём составе, мы предлагаем:

  1. Сервисное обслуживание и техническую поддержку
  2. Поставку запасных частей и расходных элементов (форсунки, фильтра, прокладки для VOLVO TAD1351GE)
  3. Ремонт и восстановление любых двигателей volvo penta TAD 1351 GE
  4. Испытание и прогрузку, настройку и наладку

Обзор марки Volvo Penta

Источник

1351 для каких двигателей

Биполярный транзистор 2SD1351 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1351

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO220

2SD1351 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1351.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1351 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 60V(Min) (BR)CEO ·Collector Power Dissipation- : P = 30W@ T = 25℃ C C ·Low Collector Saturation Voltage- : V = 1.0V(Max)@ (I = 2A, I = 0.2A) CE(sat) C B ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for general purpose

4.1. 2sd1350 e.pdf Size:43K _panasonic

Transistor 2SD1350, 2SD1350A Silicon NPN triple diffusion planer type For high breakdown voltage switching Unit: mm Features High collector to base voltage VCBO. 6.9± 0.1 2.5± 0.1 1.5 High collector to emitter voltage VCEO. 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). M type package allowing easy automatic and man

4.2. 2sd1350.pdf Size:39K _panasonic

Transistor 2SD1350, 2SD1350A Silicon NPN triple diffusion planer type For high breakdown voltage switching Unit: mm Features High collector to base voltage VCBO. 6.9± 0.1 2.5± 0.1 1.5 High collector to emitter voltage VCEO. 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). M type package allowing easy automatic and man

4.3. 2sd1355.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1355 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : V = 2.0V(Max)@ I = 4A CE(sat) C ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 100V (Min) (BR)CEO ·Complement to Type 2SB995 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Power amplifier applications. ·Recommended fo

4.4. 2sd1357.pdf Size:172K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1357 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 100V(Min) (BR)CEO ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : V = 1.5V(Max) @I = 3A CE(sat) C ·High DC Current Gain : h = 2000(Min) @ I = 3A, V = 3V FE C CE ·Complement to Type 2SB997 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and r

4.5. 2sd1352.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1352 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 80(Min) (BR)CEO ·Good Linearity of h FE ·Complement to Type 2SB989 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for general purpose application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collect

4.6. 2sd1358.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1358 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 80V(Min) (BR)CEO ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : V = 1.5V(Max) @I = 3A CE(sat) C ·High DC Current Gain : h = 2000(Min) @ I = 3A, V = 3V FE C CE ·Complement to Type 2SB998 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and re

Источник

1351 для каких двигателей

2SK1351 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK1351

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 280 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

2SK1351 Datasheet (PDF)

1.2. 2sk1351.pdf Size:197K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1351 DESCRIPTION ·Drain Current –I =5A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =500V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain

4.1. 2sk1357.pdf Size:279K _toshiba

4.2. 2sk1359.pdf Size:408K _toshiba

2SK1359 .5 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSII ) 2SK1359 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 Ω (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V) Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, >

4.3. 2sk1358.pdf Size:569K _toshiba

TOSHIBA Discrete Semiconductors 2SK1358 Industrial Applications Unit in mm Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π -MOS II.5) High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Features • Low Drain-Source ON Resistance — RDS(ON) = 1.1Ω (Typ.) • High Forward Transfer Admittance —  Yfs = 4.0S (Typ.) • Low Leakage Current —

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

4.8. 2sk1352.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1352 DESCRIPTION ·Drain Current –I =7A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =500V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain

4.9. 2sk1350.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1350 DESCRIPTION ·Drain Current –I =15A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =200V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 200

4.10. 2sk1357.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1357 DESCRIPTION ·Drain Current –I = 5A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 900V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

4.11. 2sk1356.pdf Size:227K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1356 DESCRIPTION ·Drain Current –I =3A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =900V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain

4.12. 2sk1358.pdf Size:238K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1358 DESCRIPTION ·Drain Current –I = 9A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 900V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high current DC-DC converter, Relay Drive adn Moto Drives Applications. A

Источник

Adblock
detector